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長晶科技BAS516與BAS316高速開關(guān)二極管技術(shù)解析與應(yīng)用對比
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中,高速開關(guān)二極管作為實現(xiàn)信號快速切換的關(guān)鍵元件,其性能直接影響電路的可靠性與效率。長晶科技(CJ)推出的BAS516與BAS316兩款高速開關(guān)二極管,憑借優(yōu)異的開關(guān)速度和緊湊的表面貼裝封裝,廣泛應(yīng)用于各類高速切換電路。本文將從封裝特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度深入剖析兩者的技術(shù)差異與共性,為工程師選型提供全面參考。

封裝與物理特性:
- 封裝類型與尺寸 BAS316 采用 SOD-323 封裝,建議焊盤布局 2.15mm×0.7mm,適合高密度設(shè)計;BAS516 采用 SOD-523 封裝,焊盤布局 1.42mm×0.6mm,均支持表面貼裝與自動化焊接。
- 標記與極性識別 BAS316 標記為“A6”,BAS516 標記為 “61”,均通過標記條標識陰極,避免焊接極性錯誤。
電氣性能差異與共性:
- 反向電壓能力 BAS316 峰值重復(fù)反向電壓 85V、直流阻斷電壓 75V,擊穿電壓 100V,適用于中等電壓場景;BAS516 峰值重復(fù)反向電壓 75V,非重復(fù)峰值反向電壓 100V,更適合瞬時高壓沖擊環(huán)境。兩者 VR=75V 時反向電流均≤1μA。
- 正向?qū)ㄅc功耗特性 兩者連續(xù)正向電流均 250mA,正向?qū)妷弘S電流增大而升高,IF=150mA 時均為 1.25V。BAS316 功率耗散 250mW、熱阻 500℃/W,散熱更優(yōu);BAS516 功率耗散 150mW、熱阻 833℃/W,適合低功耗場景。
- 高頻開關(guān)性能 反向恢復(fù)時間均 4ns,滿足 MHz 級切換需求。BAS516 總電容 1pF,優(yōu)于 BAS316 的 1.5pF,高頻信號失真更小。
參數(shù) | BAS316 (SOD-323) | BAS516 (SOD-523) |
封裝尺寸 (L×W×H) | 1.6×1.2×1.0 mm | 1.3×0.8×0.35 mm |
峰值反向電壓 | 85 V | 100 V |
額定功耗 (PD) | 250 mW | 150 mW |
熱阻 (RθJA) | 500 °C/W | 833 °C/W |
結(jié)電容 (Cj @1MHz) | 1.5 pF | 1.0 pF |
反向恢復(fù)時間 (tr) | 4 ns | 4 ns |
7英寸卷盤載帶容量 | 3000 pcs | 8000 pcs |
應(yīng)用場景適配性:
- BAS316:適用于中等功率高速開關(guān)電路,如電源切換、脈沖電路等,兼顧封裝尺寸與散熱需求。
- BAS516:低功耗、小電容特性適用于高頻通信、傳感器信號開關(guān)等場景,8000 顆 / 卷包裝適合大規(guī)模量產(chǎn)。
包裝與可靠性:
- 卷帶包裝:BAS316 為 3000 顆 / 7 英寸卷,BAS516 為 8000 顆 / 卷,載體帶均采用碳填充聚碳酸酯樹脂,抗靜電性能優(yōu)異。
- 環(huán)境適應(yīng)性:工作結(jié)溫與存儲溫度范圍 - 55℃~+150℃,滿足工業(yè)級應(yīng)用需求。
BAS316與BAS516 核心開關(guān)性能一致,功耗、電壓能力與封裝細節(jié)形成差異化定位。BAS316 適合中等功率、散熱要求高的場景;BAS516 適合高頻、低漏電精密電路。工程師可根據(jù)電壓等級、功耗預(yù)算及量產(chǎn)規(guī)模靈活選型,兩者均為高速電子系統(tǒng)提供可靠開關(guān)方案。
南山電子是長晶科技原廠授權(quán)代理商,歡迎咨詢選購長晶科技BAS516與BAS316高速開關(guān)二極管,如需產(chǎn)品詳情、選型指導(dǎo)或樣品申請,請聯(lián)系網(wǎng)站在線客服。