解決方案
最新上架
更多- 國(guó)產(chǎn)74系列邏輯IC替代首選：UTC友順全面替代NXP、TI、Onsemi進(jìn)口芯片
- 國(guó)產(chǎn)32位MCU中科芯CKS32F031F4P6TR：STM32F031F4P6和GD32F103VCT6的理想替代選擇
- STM32F105VET6的理想國(guó)產(chǎn)替代方案：中科芯32位芯片CKS32F105VET6
- 國(guó)產(chǎn)邏輯IC：友順U74HC573完美替代TI SN74HC573A
- 中科芯 CKS32F103 系列MCU：STM32F103 的國(guó)產(chǎn)替代新選擇
- 替代 STM32F031G4U6：中科芯CKS32F031G4U6參數(shù)對(duì)比與可行性分析
- 中科芯CKS32F030C6T6：STM32F030C6T6 單片機(jī)的高性能國(guó)產(chǎn)替代方案
- 中科芯MCU的CKS32F107系列替代STM32F107系列的優(yōu)勢(shì)在哪里？
- FS32K144HAT0LHT的國(guó)產(chǎn)替代方案是中科芯32位CKS32K144MLHT
- TI德州儀器SN74LVC1G3157與國(guó)產(chǎn)可替代型號(hào)UTC品牌U74LVC1G3157的對(duì)比
國(guó)產(chǎn)MOS管：長(zhǎng)晶科技2N7002與2N7002K MOSFET參數(shù)對(duì)比及選型建議
2N7002與2N7002K均為國(guó)產(chǎn)知名品牌長(zhǎng)晶科技生產(chǎn)的N通道MOSFET，采用SOT-23封裝形式，具有體積小、散熱性能良好等特點(diǎn)，適用于多種便攜式設(shè)備及電源轉(zhuǎn)換電路中。它們均具備高密度單元設(shè)計(jì)，能夠?qū)崿F(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），同時(shí)具有較高的飽和電流能力與可靠性，可作為電壓控制的小信號(hào)開關(guān)使用。以下是長(zhǎng)晶科技2N7002與2N7002K MOSFET參數(shù)對(duì)比及選型建議：
一、2N7002與2N7002K參數(shù)對(duì)比
| 參數(shù)/型號(hào) | 2N7002 | 2N7002K |
|---|---|---|
| 最大漏源電壓（VDS） | 60 V | 60 V |
| 最大柵源電壓（VGS） | ±20 V | ±20 V |
| 導(dǎo)通電阻（RDS(on)） | 2.5Ω@10V, 3Ω@5V | 2.5Ω@10V, 3Ω@4.5V |
| 連續(xù)漏極電流（ID） | 115 mA | 340 mA |
| 最大功率耗散（PD） | 0.225 W | 0.35 W |
| 溫度范圍（TJ） | -50~+150℃ | -55~+150℃ |
| 閾值電壓（VGS(th)） | 1~2.5 V（典型1.6） | 1~2.5 V（典型1.3） |
| 輸入電容（Ciss） | 50 pF | 40 pF |
| 開關(guān)時(shí)間（td(on)/td(off)） | 20ns/40ns | 10ns/15ns |
| 封裝形式 | SOT-23 | SOT-23 |
| ESD保護(hù) | 未提及 | 支持 |
二、相同點(diǎn)
1．封裝形式：均采用SOT-23封裝，體積小，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
2．最大漏源電壓（VDS）：均為60V，適用于60V以內(nèi)的電壓等級(jí)。
3．導(dǎo)通電阻（RDS(on)）典型值：在VGS=10V、ID=500mA時(shí)，均為2.5Ω，導(dǎo)通損耗相近。
二、不同點(diǎn)
1．電流與功率能力
連續(xù)漏極電流：2N7002為115mA，2N7002K為340mA，后者電流能力提升近3倍。
最大功耗：2N7002K（0.35W）是2N7002（0.225W）的1.55倍，適合更高功率場(chǎng)景。
2．低壓驅(qū)動(dòng)效率
導(dǎo)通電阻@低柵壓：2N7002需5V驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)3Ω，而2N7002K僅需4.5V，低壓驅(qū)動(dòng)效率更高。
3．動(dòng)態(tài)性能
開關(guān)速度：2N7002K開啟時(shí)間（10ns）和關(guān)閉時(shí)間（15ns）均顯著優(yōu)于2N7002（20ns/40ns），動(dòng)態(tài)損耗更低。
輸入電容：2N7002K輸入電容（40pF）更低，進(jìn)一步優(yōu)化高頻響應(yīng)。
4．功能擴(kuò)展
ESD保護(hù)：2N7002K支持ESD保護(hù)，抗靜電能力更強(qiáng)，適合便攜設(shè)備或工業(yè)環(huán)境。
三、選用建議
選2N7002：
適用場(chǎng)景：低電流（≤115mA）、低頻開關(guān)（如傳感器控制、信號(hào)切換）。
核心優(yōu)勢(shì)：低成本，滿足基礎(chǔ)開關(guān)需求。
選2N7002K：
適用場(chǎng)景：中高電流（≤340mA）、高頻開關(guān)（如DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)）。
核心優(yōu)勢(shì)：低壓驅(qū)動(dòng)高效（4.5V@3Ω）、快速開關(guān)（10ns/15ns）、ESD保護(hù)。
南山電子是長(zhǎng)晶科技原廠授權(quán)代理商。作為長(zhǎng)晶科技多年合作企業(yè)，南山電子會(huì)根據(jù)市場(chǎng)需求進(jìn)行備貨，在價(jià)格和售后上相比于其他供應(yīng)商都具有一定的優(yōu)勢(shì)。歡迎咨詢選購(gòu)2N7002與2N7002K MOSFET，如需更多產(chǎn)品信息請(qǐng)咨詢南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服。
