最新上架
更多- 國產74系列邏輯IC替代首選：UTC友順全面替代NXP、TI、Onsemi進口芯片
- 國產32位MCU中科芯CKS32F031F4P6TR：STM32F031F4P6和GD32F103VCT6的理想替代選擇
- STM32F105VET6的理想國產替代方案：中科芯32位芯片CKS32F105VET6
- 國產邏輯IC：友順U74HC573完美替代TI SN74HC573A
- 中科芯 CKS32F103 系列MCU：STM32F103 的國產替代新選擇
- 替代 STM32F031G4U6：中科芯CKS32F031G4U6參數(shù)對比與可行性分析
- 中科芯CKS32F030C6T6：STM32F030C6T6 單片機的高性能國產替代方案
- 中科芯MCU的CKS32F107系列替代STM32F107系列的優(yōu)勢在哪里？
- FS32K144HAT0LHT的國產替代方案是中科芯32位CKS32K144MLHT
- TI德州儀器SN74LVC1G3157與國產可替代型號UTC品牌U74LVC1G3157的對比
國巨君耀ESD靜電保護期間LBD52A24L01和LBT23C24L02的異同與選型建議
國巨ESD靜電保護器件代理商-南山電子（YAGEO原廠授權）通過YAGEO官網提供的產品參數(shù)表，整理了LBD52A24L01和LBT23C24L02兩款靜電保護器件型號參數(shù)表了解到，它們都屬于高可靠低電容靜電保護元件（ESD/TVS陣列），以下是二者的核心異同點分析：
我們都知道ESD（Electrostatic Discharge Protection Device）即靜電保護器件，也稱TVS陣列，主要用于防止電子設備因靜電放電或電壓瞬變導致的損壞，其核心功能包括快速鉗位（在納秒級時間內將異常高壓導向地線，保護敏感電路。）；避免對高速信號（如USB 3.0、HDMI）造成衰減的低電容設計，典型結電容可低至1pF以下。另外國巨ESD器件支持3.3V至24V等多種反向工作電壓（Vrwm），適配不同電路需求。
一、共同特性
1. 應用領域 ：
均用于靜電保護場景，符合IEC61000-4-2標準，支持15kV空氣放電和8kV接觸放電。
2. 基礎參數(shù)
反向工作電壓（Vrwm）：均為24V
漏電流（Ir）：低至1μA
鉗位性能：均具備快速響應能力，適合高速數(shù)據接口保護。
二、參數(shù)差異：
| 封裝類型 | 特點 | 代表型號 |
| SOD523 | 微型化設計（1.25×0.8mm），適合高密度PCB | LBD52A24L011 |
| SOT-23 | 通用型貼片封裝，易焊接維護 | LBT23C24L021 |
| SOIC-08/16 | 多通道集成，支持高功率保護 | LES08A05L05 |
三、選型建議
1. 高頻場景優(yōu)先選擇LBT23C24L02
其12pF結電容更適合USB 3.0、HDMI等高速接口，可減少信號衰減。
2. 空間受限場景考慮LBD52A24L01
SOD523封裝體積更?。s1.25×0.8mm），適用于高密度PCB布局。
3. 電壓裕度需求
LBT23C24L02的擊穿電壓略高（26.7V），在24V系統(tǒng)中可能提供更寬松的容錯范圍。
四、注意事項
- 兩者均未明確標注脈沖功率參數(shù)，建議通過YAGEO官網下載完整數(shù)據手冊確認極限耐受能力。
- 若需更高功率保護（如500W級別），可參考同系列中LES08A05L05等型號。
如需完整參數(shù)對比或應用案例，可咨詢國巨/君耀代理商（原廠授權）南山電子，為您提供完整技術文檔和兩款ESD器件的樣品。
