最新上架
更多- 國產74系列邏輯IC替代首選：UTC友順全面替代NXP、TI、Onsemi進口芯片
- 國產32位MCU中科芯CKS32F031F4P6TR：STM32F031F4P6和GD32F103VCT6的理想替代選擇
- STM32F105VET6的理想國產替代方案：中科芯32位芯片CKS32F105VET6
- 國產邏輯IC：友順U74HC573完美替代TI SN74HC573A
- 中科芯 CKS32F103 系列MCU：STM32F103 的國產替代新選擇
- 替代 STM32F031G4U6：中科芯CKS32F031G4U6參數對比與可行性分析
- 中科芯CKS32F030C6T6：STM32F030C6T6 單片機的高性能國產替代方案
- 中科芯MCU的CKS32F107系列替代STM32F107系列的優(yōu)勢在哪里？
- FS32K144HAT0LHT的國產替代方案是中科芯32位CKS32K144MLHT
- TI德州儀器SN74LVC1G3157與國產可替代型號UTC品牌U74LVC1G3157的對比
NCEP039N10D：新潔能超級溝槽II代MOSFET的卓越性能與應用
在高效電源管理領域，MOSFET的性能直接決定了系統(tǒng)的能效與可靠性。新潔能（NCE）推出的NCEP039N10D：新潔能超級溝槽II代MOSFET，基于Super Trench II技術，以極低的導通電阻（RDS(ON)）和柵極電荷（Qg）為核心優(yōu)勢，成為高頻開關和同步整流應用的標桿級解決方案。其100V耐壓、135A高電流能力，以及優(yōu)化的封裝設計，尤其適合DC/DC轉換器等高效能場景。
NCEP039N10D主要參數：
- 漏源電壓（VDS）：100V
- 連續(xù)漏極電流（ID）：135A
- 脈沖漏極電流（IDM）：540A
- 導通電阻（RDS(ON)）：3.5mΩ @ VGS=10V
- 柵源電壓（VGS）：±20V
- 最大功耗（PD）：220W
- 單脈沖雪崩能量（EAS）：730mJ
- 工作溫度范圍：-55℃至175℃
NCEP039N10D特點：
- 強電流電壓支持：最高承受100V電壓，持續(xù)電流可達135A，滿足大功率設備需求。
- 導通電阻低：在10V驅動電壓下，導通電阻僅3.5mΩ。更低的電阻意味著工作時發(fā)熱少，能效更高。
- 高效開關：采用獨特設計降低開關損耗，特別適合高頻工作場景，可提升系統(tǒng)整體效率。
- 耐高溫：能在175℃高溫下穩(wěn)定運行，適應汽車電子、工業(yè)設備等嚴苛環(huán)境。
- 環(huán)保材料：符合無鉛環(huán)保標準，減少對環(huán)境影響。
- 100% UIS TESTED!
- 100% ΔVds TESTED!
NCEP039N10D應用場景：
- DC/DC轉換器：NCEP039N10D的快速開關特性可提升電源轉換效率，幫助縮小變壓器和電容體積，適用于電腦電源、通信設備等。
- 同步整流：NCEP039N10D可以很好地替代傳統(tǒng)的二極管整流方案。相比傳統(tǒng)二極管，導通損耗降低80%以上，特別適合充電器、逆變器等需要高效整流的設備。
南山電子是新潔能公司授權代理商，歡迎咨詢選NCEP039N10D MOS管，了解產品最新價格請聯系我們18251882769（唐經理）或者聯系網站客服。
