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NCE3008M新潔能增強(qiáng)型功率MOSFET:電池保護(hù)與開關(guān)應(yīng)用的理想選擇
在現(xiàn)代電子設(shè)備中,MOS 管作為核心的功率半導(dǎo)體器件,其性能直接影響到電路的效率與穩(wěn)定性。新潔能(NCE)推出的NCE3008M增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借其先進(jìn)的溝槽技術(shù)、出色的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、低柵極電荷以及低至 2.5V 的柵極電壓工作能力,成為眾多電池保護(hù)與開關(guān)應(yīng)用的理想選擇。
NCE3008M性能特點(diǎn):
1、先進(jìn)的溝槽技術(shù)與卓越性能
NCE3008M 采用先進(jìn)的溝槽技術(shù),通過在半導(dǎo)體材料中形成深槽結(jié)構(gòu),顯著提高了芯片的抗干擾能力和穩(wěn)定性。這種技術(shù)使得器件在高功率和電流處理能力方面表現(xiàn)出色,同時降低了導(dǎo)通電阻和柵極電荷,從而提高了整體效率。
2、優(yōu)異的電氣性能
在關(guān)鍵參數(shù)方面,NCE3008M 的漏源電壓(VDS)為 30V,連續(xù)漏極電流(ID)為 8A。其導(dǎo)通電阻(RDS(ON))在不同柵極電壓下表現(xiàn)出色:在 VGS = 10V 時,RDS(ON) < 22.5mΩ;在 VGS = 4.5V 時,RDS(ON) < 32mΩ。這種低導(dǎo)通電阻特性使得 NCE3008M 在高效率電源管理應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
3、高功率與電流處理能力
NCE3008M 具備高功率和電流處理能力,能夠滿足電池保護(hù)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中對功率和電流的嚴(yán)格要求。其最大耗散功率(Pd)為 3.5W,能夠承受較高的功率負(fù)載,同時保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
4、環(huán)保與封裝優(yōu)勢
NCE3008M 符合無鉛產(chǎn)品要求,采用環(huán)保材料制造,符合現(xiàn)代電子設(shè)備對環(huán)保的嚴(yán)格要求。其表面貼裝封裝(SOT-89-3),具有體積小、散熱性能好、易于安裝等特點(diǎn),適合緊湊型設(shè)計,能夠有效節(jié)省電路板空間。
NCE3008M應(yīng)用場景:
- 電池開關(guān):在電池管理系統(tǒng)中,NCE3008M 可以實(shí)現(xiàn)高效的電池保護(hù),防止過充、過放和短路等情況,延長電池壽命。
- DC/DC 轉(zhuǎn)換器:在電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中,NCE3008M 的低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性能夠顯著提高轉(zhuǎn)換效率,降低能量損耗。
NCE3008M采購信息:
- 封裝:SOT-89-3L
- 包裝方式:Ø180mm編帶包裝
- 編帶寬度:12mm
- 最小包裝量:1k/盤
新潔能 NCE3008M MOS 管憑借其先進(jìn)的溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷以及低柵極電壓工作能力,成為電池保護(hù)和開關(guān)應(yīng)用中的理想選擇。其高功率和電流處理能力、環(huán)保特性以及緊湊的封裝形式,使其在現(xiàn)代電子設(shè)備中展現(xiàn)出卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景。
南山電子是新潔能公司授權(quán)代理商,歡迎咨詢選購NCE3008M MOS管。如需產(chǎn)品詳細(xì)的規(guī)格書,請聯(lián)系網(wǎng)站客服。