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新潔能提供質(zhì)量可靠、品種齊全、性能卓越的車規(guī)級功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSFET，雙通道MOSFET，IGBT，上述車規(guī)級功率器件均已通過AEC-Q101認證。其中，車規(guī)級功率MOSFET器件電壓覆蓋范圍為-150V至1050V，車規(guī)級IGBT器件電壓覆蓋范圍為600V至1200V。基于先進的功率器件設計與晶圓制造技術，穩(wěn)定可靠的封裝技術，優(yōu)異的質(zhì)量管控，我們致力于為客戶提供“零”缺陷的汽車功率器件產(chǎn)品。 新潔能車規(guī)級功率器件已經(jīng)廣泛應用在汽車上，從電控單元到域控制器，從蓄電池防反接到電池管理系統(tǒng)，從車艙電機驅動到主驅電控，以及各個汽車零部件中，我們?yōu)槠囯娮釉O計工程師提供了全面的產(chǎn)品選擇。新潔能提供擊穿電壓等級-12V至-150V的P溝道車規(guī)級功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET由于其獨特的柵極負壓導通機制，當它被用作高邊開關時，可以大幅度降低系統(tǒng)的設計復雜度。我們提供的P型車規(guī)級功率MOSFET器件，以其超低的導通電阻，堅固的可靠性在汽車蓄電池防反接領域得到廣泛的應用。
12-150V P-Channel Trench MOSFET：
新潔能提供的P型12V~150V溝槽型（Trench）功率MOSFET產(chǎn)品，采用先進的工藝制造技術、更優(yōu)的工藝條件、精細優(yōu)化的器件結構不斷優(yōu)化產(chǎn)品導通電阻、開關特性、可靠性等并持續(xù)推進產(chǎn)品迭代，以豐富的產(chǎn)品系列、業(yè)內(nèi)先進的參數(shù)性能與優(yōu)異的可靠性成為行業(yè)標桿。產(chǎn)品廣泛應用于電機驅動、電池管理系統(tǒng)、負載開關、通信、消費電子等各個領域。同時提供豐富的封裝外形供客戶選擇，包括DFN1*1、DFN2*2、DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-89、SOT-223、SOP-8、TO-251、TO-252、TO-220、TO-263、TOLL、TO-247等。
30-100V P-Channel SGT-I MOSFET：
新潔能提供擊穿電壓等級范圍為-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET產(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統(tǒng)設計復雜度上擁有天然的優(yōu)勢，獨特的柵極負壓開啟機制，使得P溝道功率MOSFET成為高端開關的理想選擇。P溝道功率MOSFET產(chǎn)品的選用可以簡化柵極驅動，往往可以降低系統(tǒng)的總成本，為設計人員提供了一種新的選擇。此外，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品利用空穴作為載流子進行導電，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中的載流子電子，同等情況下，P溝道功率MOSFET產(chǎn)品導電性能弱于N溝道功率MOSFET產(chǎn)品。 新潔能基于SGT-I技術的-30~-100VP溝道功率產(chǎn)品提供超低的導通電阻（RDS(on)），為設計人員在簡化系統(tǒng)復雜度、降低系統(tǒng)總成本的前提下，進一步提高系統(tǒng)效率與性能。廣泛應用于電池保護、負載開關、電機控制及低壓驅動等應用中。P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝范圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多種封裝形式，為設計人員優(yōu)化系統(tǒng)提供解決方案。
