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P溝道MOSFET，顧名思義，其導(dǎo)電溝道主要由空穴形式的電荷載流子組成。在P溝道MOSFET中，源極和漏極通常采用P型材料重摻雜，而襯底則是N型材料。當(dāng)給柵極施加一個負電壓時，柵極下方的P型半導(dǎo)體區(qū)域中的空穴會被吸引到靠近柵極的區(qū)域，形成一個導(dǎo)電通道，使得漏極和源極之間形成導(dǎo)電通路。
工作原理：
P溝道MOSFET的工作原理基于電場效應(yīng)。當(dāng)柵極電壓為負且低于某一閾值電壓時，會在柵極下方的P型半導(dǎo)體層中形成空穴溝道，使得漏極和源極之間形成導(dǎo)電通路。此時，如果給源極施加一個正電壓，空穴就會從源極通過這個導(dǎo)電通道流向漏極，形成電流。隨著柵極電壓的降低（即負電壓的絕對值增大），溝道中的空穴濃度增加，漏極電流也隨之增大。反之，當(dāng)柵極電壓與源極電壓差值小到一定程度時，導(dǎo)電通道會逐漸變窄直至消失，此時P溝道MOSFET處于截止?fàn)顟B(tài)。
特性：
P溝道MOSFET的開關(guān)速度相對較慢且導(dǎo)通電阻較高，但其在高邊開關(guān)（High-SideSwitch）應(yīng)用中具有獨特優(yōu)勢。由于P溝道MOSFET需要從柵極到源極的負電壓才能導(dǎo)通，因此它可以在高電位側(cè)控制電路的通斷而無需額外的電平轉(zhuǎn)換電路。此外，P溝道MOSFET的閾值電壓為負值且導(dǎo)通電阻相對較高。
應(yīng)用：
P溝道MOSFET在汽車電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)用。例如，在汽車電子系統(tǒng)中P溝道MOSFET常被用于控制發(fā)動機、變速器和其他關(guān)鍵部件的電源供應(yīng)。此外在需要高電位側(cè)控制的應(yīng)用場景中P溝道MOSFET也發(fā)揮著重要作用。
