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光耦（光電耦合器）除了常用的晶體管光耦等，達(dá)林頓管光耦還有多種高速光耦、可控硅光耦和IGBT光耦和IMP光耦等等，不同類型的類型，需要側(cè)重了解的參數(shù)也有一定差異。
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以下是南山半導(dǎo)體電商部同事初步整理的部分參數(shù)。不同的光耦類型，可能只需要考慮其中部分的參數(shù)特點(diǎn)。也有一些特殊光耦的參數(shù)沒有在列出來。如果您正在準(zhǔn)備使用國產(chǎn)高端光耦來替代日本東芝光耦型號(hào)和中國臺(tái)灣的光寶與億光品牌，請(qǐng)通過南山半導(dǎo)體官方網(wǎng)站在線客服，要求技術(shù)工程師協(xié)助您做參數(shù)對(duì)比。和選型替換支持。同時(shí)作為國產(chǎn)光耦品牌奧倫德授權(quán)代理商（經(jīng)銷商），南山電子還可以為你快速提供光耦樣品和小批量訂單服務(wù)。助力您的產(chǎn)品研發(fā)快速推薦，并確保批量購買時(shí)光耦參數(shù)性能具有良好的一致性。
1. 隔離特性參數(shù)
- 隔離電壓（Isolation Voltage,Viso(Vrms)）
表示輸入與輸出端之間能承受的最高電壓（通常為AC有效值或DC值），典型值1kV至5kV，用于電氣隔離設(shè)計(jì)。以南京南山半導(dǎo)體有限公司代理的國產(chǎn)光耦品牌奧倫德為例，其光耦隔離電壓主要是3750V和5000V為主。 - 隔離電阻（Isolation Resistance, R_iso或RISO）
輸入與輸出端間的絕緣電阻，通常>10¹²Ω，影響抗干擾能力。 - 隔離電容（Isolation Capacitance, C_iso或CISO）
輸入端與輸出端間的寄生電容，高頻應(yīng)用中需盡量降低（通常<1pF）。
2. 輸入側(cè)參數(shù)
- 正向電壓（Forward Voltage, V_F或VF）
LED導(dǎo)通所需的最小壓降，典型值1.1V~1.5V，需匹配驅(qū)動(dòng)電路電壓。 - 正向電流（Forward Current, I_F或IF）
LED工作電流范圍（如10mA~50mA），決定光耦傳輸效率。 - 反向電壓（Reverse Voltage, V_R或VR）
LED反向耐壓值（通常≤5V），防止反向擊穿。
3. 輸出側(cè)參數(shù)
- 集電極-發(fā)射極電壓（Collector-Emitter Voltage, V_CEO或VCEO）
輸出晶體管最大耐受電壓（如30V~80V），需高于負(fù)載電壓。 - 集電極電流（Collector Current, I_C或IC）
輸出晶體管最大允許電流（如10mA~100mA），需考慮負(fù)載功耗。
4. 傳輸特性參數(shù)
- 電流傳輸比（Current Transfer Ratio, CTR）
輸出電流與輸入電流的百分比（如20%~600%），直接影響信號(hào)放大能力。
公式：CTR = (I_out / I_in) × 100% - 響應(yīng)時(shí)間（Response Time）
- 開啟時(shí)間（Turn-On Time, t_on）：輸入信號(hào)到輸出達(dá)90%的時(shí)間（如2μs~20μs）。
- 關(guān)斷時(shí)間（Turn-Off Time, t_off）：輸入斷開到輸出降至10%的時(shí)間（如3μs~50μs）。
高速光耦（如6N137）t_on/t_off可低至20ns。
5. 環(huán)境參數(shù)
- 工作溫度（Operating Temperature, T_op或Top）
典型范圍-40℃~+110℃，高溫下CTR會(huì)衰減（需降額使用）。
應(yīng)用場(chǎng)景示例
- 電源反饋回路：優(yōu)先選擇高CTR（如300%以上）和低C_iso的光耦（如奧倫德ORPC和億光817PC817等）。
- 數(shù)字信號(hào)隔離：需關(guān)注響應(yīng)時(shí)間，高速場(chǎng)景選t_on/t_off < 1μs的型號(hào)（如奧倫德OR-2531和東芝TLP2361等）。
- 工業(yè)控制：需寬溫度范圍（-40℃~+125℃）和高V_iso（如5kV）的光耦（如奧倫德光耦型號(hào)ORPC-814和博通HCPL-3700）。
通過以上參數(shù)組合，可快速篩選適合不同場(chǎng)景的光耦型號(hào)，同時(shí)避免過設(shè)計(jì)或參數(shù)不足導(dǎo)致的失效風(fēng)險(xiǎn)。
